EELS đạt độ chính xác cao hơn EDX nhờ khả năng cho độ phân giải năng lượng cao hơn (xuống cỡ dưới 1 eV so với cấp vài chục eV của EDX) và do đó mạnh hơn đối với các nguyên tố nhẹ. Nếu như ở EDX, chùm tia X phát ra bị phân tán làm hạn chế khả năng phân giải thì ở EELS, chùm tia truyền qua được ghi trực tiếp và độ phân giải sẽ phụ thuộc trực tiếp vào kích thước chùm tia điện tử. Ngày nay, các STEM có kích cỡ chùm tia đạt tới 1 Ẳ nên độ phân giải của phép phân tích phân bố trong EELS đạt cao hơn EDX rất nhiều. EELS đạt độ chính xác rất cao hơn các nguyên tố nhẹ (cấp độ 1%) nhưng lại tỏ ra kém hiệu quả với các nguyên tố nặng (do nếu nguyên tố càng nặng thì xác suất tán xạ đàn hồi sẽ càng cao). EELS mạnh nhất đối với các nguyên tố nằm trong dải từ các bon tới các kim loại chuyển tiếp (nhóm 3d).

Điểm mạnh hơn của EELS là thu được nhiều thông tin và đặc biệt là cả các thông tin về liên kết và năng lượng hóa học, do đó nó có khả năng ghi nhận được các hợp chất hóa học (khác với EDX chỉ ghi nhận được nguyên tố hóa học) nên EELS đang dần chiếm ưu thế hơn so với EDX.

Dạng phổ biến nhất của EELS là EELS hoạt động ở chế độ truyền qua (thông thường với chùm điện tử từ 100-300 keV), ngoài ra còn có các phép phân tích EELS khác, ví dụ như EELS phản xạ (Reflection EELS - REELS) sử dụng với chùm điện tử năng lượng từ 10-30 keV. Ngoài ra, phép phân tích EELS độ phân giải cao (HREELS - High resolution EELS) với chùm điện tử năng lượng từ 1 eV - 10 eV, có độ đơn sắc cực cao cũng đang được phát triển [4].